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用申月（h）SMMAPbI3-MA,MSMAPbI3和MSMAPbI3-P薄膜的紫外-吸收光谱。经过优化，报工报获得了具有优异电子性能的高性能钙钛矿薄膜，并实现了具有优异重复性的稳定PSC，其PCE高达15.22%。作申（d）在氮气气氛和15-25℃温度下储存的无封装PSC的PCE演变。
更加具体来说，川司信在原材料，无毒溶剂和设备简单的情况下，制备高质量和大面积的钙钛矿薄膜仍然是商业和工业应用中的最大挑战。开展（g）钙钛矿薄膜的晶体生长机理。
本研究不仅探讨了通过磁控溅射MSMAPbI3成膜的详细条件，年售也证明了引入Cl可以进一步将器件的PCE提高15%以上。
用申月使用这种策略可以在几分钟内制备出极其均匀和致密的钙钛矿薄膜。这意味着M0/TC可用于估计磁转变诱导负热膨胀的可能性，报工报M0/TC值越大，负热膨胀越强。
此外，作申由于磁相变温度的限制，大多数磁性负热膨胀体系仍处于低温区，不利于实际应用。《ProgressinMaterialsScience》是Elsevier出版社期刊，川司信主要报道材料科学研究领域研究进展。
最后，开展作者从新型负热膨胀材料的发现与设计、开展负热膨胀机理、热膨胀调控以及负热膨胀材料应用等方面展望并讨论了框架结构负热膨胀材料未来的研究方向。在框架结构负热膨胀材料的综述中，年售作者首先根据框架结构与化学式分类特点，年售全面介绍了氧化物、氟化物、氰化物、金属有机框架材料等框架结构负热膨胀材料的晶体结构特征和热膨胀性，讨论了不同机理观点，介绍了化学替代、局域结构畸变和客体分子/离子嵌入等热膨胀调控方法。
